DB35/T 1370-2013标准基本信息
标准名称：发光二极管芯片点测方法
标准号：DB35/T 1370-2013
发布日期：2013-12-04
实施日期： 2014-03-01
制修订：制定
中国标准分类：L45
国际标准分类：31.260
技术归口：省信息化局
批准发布部门：福建省质量技术监督局
行业分类：信息传输、软件和信息技术服务业
标准类别：方法标准
起草单位：厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心
起草人：蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。