GB/T 41853-2022标准基本信息
半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量
标准号:GB/T 41853-2022
标准名称:半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量
英文名称:Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
标准状态:现行
发布日期:2022-10-12
实施日期:2022-10-12
标准ICS号:31.080.99
中标分类号:L55
归口单位:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)
提出部门:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)
发布部门:国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
GB/T 41853-2022预览图: