当前位置:首页 > 国家标准 > GB/T 41853-2022

GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量

下载格式:pdf标准分类:国家标准

GB/T 41853-2022标准基本信息

半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量

标准号:GB/T 41853-2022

标准名称:半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量

英文名称:Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement

标准状态:现行

发布日期:2022-10-12

实施日期:2022-10-12

标准ICS号:31.080.99

中标分类号:L55

归口单位:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)

提出部门:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)

发布部门:国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

GB/T 41853-2022预览图:

GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量

声明:资源收集自用户分享或网络,仅为个人学习参考使用,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误