当前位置:首页 > 国家标准 > GB/T 25188-2010

GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

下载格式:pdf标准分类:国家标准

GB/T 25188-2010标准基本信息

标准名称:硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

标准号:GB/T 25188-2010

发布日期:2010-09-26

实施日期:2011-08-01

中国标准分类:G04

国际标准分类:71 化工技术,71.040 分析化学,71.040.40 化学分析

归口单位:全国微束分析标准化技术委员会

执行单位:全国微束分析标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》由TC38(全国微束分析标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。

GB/T 25188-2010预览图:

GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量  X射线光电子能谱法

声明:资源收集自用户分享或网络,仅为个人学习参考使用,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误