GB/T 34481-2017标准基本信息
标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
标准号：GB/T 34481-2017
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
中国标准分类：H25
国际标准分类：77 冶金，77.040 金属材料试验
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。
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