SJ/T 11586-2016标准基本信息
标准名称：半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
标准号：SJ/T 11586-2016
发布日期：2016-01-15
实施日期：2016-06-01
制修订：制定
中国标准分类：L40
国际标准分类：31.080.01
技术归口：工业和信息化部电子工业标准化研究院
批准发布部门：工业和信息化部
行业分类：无
标准类别：方法标准
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
起草人：罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等
SJ/T 11586-2016预览图：
