T/CASAS 009-2019标准基本信息
标准名称：半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
标准编号：T/CASAS 009—2019
英文标题：Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in Semi-insulating SiC Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2019年11月25日
实施日期：2019年11月25日
起草人：齐俊杰、魏学成、李志超、胡超胜、卫喆、张志国、陈秀芳、杨昆、杨祥龙、王亚哲、郭艳敏、王锡铭、张新河、李晋闽
起草单位：北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、山东大学、河北同光晶体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、深圳第三代半导体研究院。
T/CASAS 009-2019预览图：
