T/IAWBS 009-2019标准基本信息
标准名称：功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
标准编号：T/IAWBS 009—2019
英文标题：High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices
国际标准分类号：29.045
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2019年12月27日
实施日期：2019年12月31日
起草人：张瑾、仇志杰、宁圃奇、陆敏、李尧圣、陈艳芳、魏跃远、王泽兴、潘志坚、冷轶群、刘祎晨、林雪如。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京新能源汽车技术创新中心有限公司、深圳吉华微特电子有限公司。
范围：本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件。
T/IAWBS 009-2019预览图：
