T/ZSA 38-2020标准基本信息
标准名称：SiC晶片的残余应力检测方法
标准编号：T/ZSA 38—2020
英文标题：Experimental method for residual stress in SiC wafers
国际标准分类号：29.045
中国标准分类号：H80/84
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2020年12月17日
实施日期：2020年12月18日
起草人：苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司。
范围：本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
T/ZSA 38-2020预览图：
