T/CES 085-2021标准基本信息
标准名称：压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范
标准编号：T/CES 085—2021
英文标题：Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：L 40
国民经济分类：C397 电子器件制造
发布日期：2021年09月28日
实施日期：2021年09月30日
起草人：李尧圣、陈艳芳、李翠、李金元、邓二平、郭春生、贺庭玉、季凌云、张雷、万超群、魏争。
起草单位：全球能源互联网研究院有限公司、北京工业大学、华北电力大学、杭州中安电子有限公司、西安美泰电气科技有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、国网经济技术研究院有限公司。
范围：本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件。
T/CES 085-2021预览图：
