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T/CES 085-2021 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验规范

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T/CES 085-2021标准基本信息

标准名称:压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验规范

标准编号:T/CES 085—2021

英文标题:Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules

国际标准分类号:31.080.01半导体器分立件综合

中国标准分类号:L 40

国民经济分类:C397 电子器件制造

发布日期:2021年09月28日

实施日期:2021年09月30日

起草人:李尧圣、陈艳芳、李翠、李金元、邓二平、郭春生、贺庭玉、季凌云、张雷、万超群、魏争。

起草单位:全球能源互联网研究院有限公司、北京工业大学、华北电力大学、杭州中安电子有限公司、西安美泰电气科技有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、国网经济技术研究院有限公司。

范围:本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块,其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT(IEGT)、双模式绝缘栅晶体管(BIGT)等模块也可参照此文件。

T/CES 085-2021预览图:

T/CES 085-2021 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验规范

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