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GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

下载格式:pdf标准分类:国家标准

GB/T 6616-2009标准基本信息

标准名称:半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

标准号:GB/T 6616-2009

发布日期:2009-10-30

实施日期:2010-06-01

全部代替标准:GB/T 6616-1995

中国标准分类:H80

国际标准分类:29 电气工程,29.045 半导体材料

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

万向硅峰电子股份有限公司。

GB/T 6616-2009预览图:

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法  非接触涡流法

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