当前位置:首页 > 国家标准 > GB/T 26066-2010

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

下载格式:pdf标准分类:国家标准

GB/T 26066-2010标准基本信息

标准名称:硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

标准号:GB/T 26066-2010

发布日期:2011-01-10

实施日期:2011-10-01

中国标准分类:H80

国际标准分类:29 电气工程,29.045 半导体材料

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

洛阳单晶硅有限责任公司。

GB/T 26066-2010预览图:

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

声明:资源收集自用户分享或网络,仅为个人学习参考使用,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误