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T/CASAS 001-2018 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

下载格式:pdf标准分类:团体标准

T/CASAS 001-2018标准基本信息

标准名称:碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

标准编号:T/CASAS 001—2018

英文标题:General Specification for Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

国际标准分类号:31.080.01半导体器分立件综合

国民经济分类:M732 工程和技术研究和试验发展

发布日期:2018年09月21日

实施日期:2018年09月21日

起草人:许恒宇、李金元、柏松、李诚瞻、刘鹏飞、万彩萍、查祎英、刘奥、周维、赵璐冰、高伟

起草单位:中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、龙腾半导体有限公司

T/CASAS 001-2018预览图:

T/CASAS 001-2018 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

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