T/CASAS 010-2019标准基本信息
标准名称：氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
标准编号：T/CASAS 010—2019
英文标题：Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2019年11月25日
实施日期：2019年11月25日
起草人：齐俊杰、魏学成、胡超胜、李志超、卫喆、张志国、张凯、田飞飞、许福军、郑永生、郭艳敏、王锡铭、宋德鹏、李晋闽
起草单位：北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、深圳第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米所、北京大学、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、济南力冠电子科技有限公司。
T/CASAS 010-2019预览图：
