T/IAWBS 013-2019标准基本信息
标准名称：半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
标准编号：T/IAWBS 013—2019
英文标题：The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate
国际标准分类号：29.045
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2019年12月27日
实施日期：2019年12月31日
起草人：侯晓蕊、王英民、李斌、魏汝省、王光耀、王程、马康夫、刘燕燕、田牧、任慧珍、徐伟、毛开礼、潘磊、陆敏、郑红军、刘祎晨。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第二研究所、北京世纪金光半导体有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
范围：本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。本标准适用于电阻率测量范围: 105Ω?cm-1012Ω?cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底。
T/IAWBS 013-2019预览图：
