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T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

下载格式:pdf标准分类:团体标准

T/IAWBS 014-2021标准基本信息

标准名称:碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

标准编号:T/IAWBS 014—2021

英文标题:Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers

国际标准分类号:29.045

国民经济分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

发布日期:2021年09月15日

实施日期:2021年09月22日

起草人:彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建。

起草单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟,北京天科合达半导体股份有限公司。

范围:本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。

T/IAWBS 014-2021预览图:

T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

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