标准名称：高性能高密度沟槽栅IGBT器件
标准编号：T/ACCEM 515—2025
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：L 42
国民经济分类：C397 电子器件制造
发布日期：2025年03月20日
实施日期：2025年04月18日
起草人：王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫
起草单位：青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司
T/ACCEM 515-2025预览图：
