GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

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硅片径向电阻率变化的测量方法（GB/T 11073-2007）

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。