T/CASAS 014-2021标准基本信息
标准名称：碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
标准编号：T/CASAS 014—2021
英文标题：Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry
国际标准分类号：31-030
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2021年11月01日
实施日期：2021年12月01日
起草人：陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰
起草单位：广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
范围：本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。
T/CASAS 014-2021预览图：
